某半导体技术营造公司企业因晶圆洗工艺流程造成含氨废渣，用水量200吨/天。废渣中除氯离子外还包含氟化物和氢化物发生器巨资属，处置难易度大。日本污染物标准的需要氯离子＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 电镀废水因素及的来源 晶圆难以清理电镀废水（最主要的來源）：含挥发酚200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀流程废水处理方法：含进样器铜、镍等血本属，pH值跌涨大 CMP打磨工业废水：含硅颗粒物及挥发酚 净化处理过程过程 用于"化学上沉垫+膜离心分离+折点氯化"組合新工艺： 预清理 ：加药系统CaCl2除氟，操作pH在7.5-8. 反渗透装置软件 ：清掉0.01μm以上内容颗粒状物 反渗透膜到沉淀 ：将氯离子提液至1000mg/L以上的 折点氯化 ：精确度控制氯加药量，将氟化物和转化了为离氮气 铝离子交流 ：得到保障血本属标准 最中治疗效果 氧化还原电位比较稳定＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 巨资属含量降到检侧限 水中水回用率达75% 飞灰存在量限制40%